Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin IPAK IPSA70R360P7SAKMA1

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214-4422
Référence fabricant:
IPSA70R360P7SAKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

700V

Package Type

IPAK

Series

700V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

360mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

16.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

59.5W

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

6.1 mm

Length

6.6mm

Standards/Approvals

No

Height

2.3mm

Automotive Standard

No

The 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.

It supports less magnetic size with lower BOM costs

It has high ESD ruggedness

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