Infineon 700V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12.5 A, 700 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70R360P7SAUMA1
- N° de stock RS:
- 214-4392
- Référence fabricant:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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| 100 - 180 | 0,643 € | 12,86 € |
| 200 - 480 | 0,602 € | 12,04 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4392
- Référence fabricant:
- IPD70R360P7SAUMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12.5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 700V | |
| Series | 700V CoolMOS P7 | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 360mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 59.5W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.65mm | |
| Height | 2.35mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12.5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 700V | ||
Series 700V CoolMOS P7 | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 360mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 59.5W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.65mm | ||
Height 2.35mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 700V Cool MOS P7 super junction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains.
It supports less magnetic size with lower BOM costs
It has high ESD ruggedness
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