Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060P7XKSA1

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214-4414
Référence fabricant:
IPP60R060P7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

600V CoolMOS P7

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

67nC

Maximum Power Dissipation Pd

164W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.4mm

Length

10.2mm

Width

15.93 mm

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

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