Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060P7XKSA1

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214-4414
Référence fabricant:
IPP60R060P7XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

48A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

60mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.9V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

67nC

Maximum Power Dissipation Pd

164W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.93 mm

Height

4.4mm

Length

10.2mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

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