Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R280P7XKSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

16,73 €

(TVA exclue)

20,24 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 240 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 401,673 €16,73 €
50 - 901,589 €15,89 €
100 - 2401,522 €15,22 €
250 - 4901,455 €14,55 €
500 +1,354 €13,54 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
214-4418
Référence fabricant:
IPP60R280P7XKSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

600V CoolMOS P7

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

280mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Forward Voltage Vf

0.9V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

72W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

4.4mm

Width

15.93 mm

Length

10.2mm

Automotive Standard

No

The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

Liens connexes