Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 18 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 214-4415
- Référence fabricant:
- IPP60R180P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
65,35 €
(TVA exclue)
79,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,307 € | 65,35 € |
| 100 - 200 | 1,072 € | 53,60 € |
| 250 - 450 | 0,994 € | 49,70 € |
| 500 - 950 | 0,941 € | 47,05 € |
| 1000 + | 0,902 € | 45,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4415
- Référence fabricant:
- IPP60R180P7XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 180mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 72W | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 15.93 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 4.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 180mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 72W | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 15.93 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 4.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Automotive Standard No | ||
The 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
Liens connexes
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R180P7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R060P7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP60R280P7XKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPA60R360P7SXKSA1
- Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-252