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Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 214-4413
Référence fabricant:: IPP60R060P7XKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 48 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Sous-total (1 tube de 50 unités)*

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N° de stock RS:: 214-4413
Référence fabricant:: IPP60R060P7XKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	600V CoolMOS P7
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	164W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	67nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	10.2mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 48A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series 600V CoolMOS P7
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 164W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 67nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.4mm
	Standards/Approvals No
	Length 10.2mm
	Automotive Standard No

Datasheet - IPP60R060P7XKSA1

This Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.

It has rugged body diode

Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity

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