Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 50 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP200N15N3GXKSA1

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214-4412
Référence fabricant:
IPP200N15N3GXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

50A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

OptiMOS 3

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

150W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

15.93 mm

Length

10.2mm

Standards/Approvals

No

Height

4.4mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-31-967

This Infineon OptiMOS 3 MOSFET is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It is qualified according to JEDEC for target application

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

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