Infineon OptiMOS 5 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 214-4406
- Référence fabricant:
- IPP051N15N5AKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
264,25 €
(TVA exclue)
319,75 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 08 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 5,285 € | 264,25 € |
| 100 - 200 | 5,021 € | 251,05 € |
| 250 + | 4,704 € | 235,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4406
- Référence fabricant:
- IPP051N15N5AKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | OptiMOS 5 | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.1mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 300W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 4.4mm | |
| Length | 10.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 15.93 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series OptiMOS 5 | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.1mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 300W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 4.4mm | ||
Length 10.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 15.93 mm | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon OptiMOS MOSFET offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.
It is ideal for hot-swap and e-fuse applications
Liens connexes
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-220 IPP051N15N5AKSA1
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET 120 V, 3-Pin TO-220 IPP041N12N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-220 IPP075N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS™-T N-Channel MOSFET 120 V, 3-Pin TO-220 IPP70N12S311AKSA1
- Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET 80 V, 3-Pin TO-220 IPP023N08N5AKSA1
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-220 IPP111N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-220 IPP200N15N3GXKSA1
- Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-220 IPP076N15N5AKSA1