Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 70 A, 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252 IPD70N12S311ATMA1

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214-4390
Référence fabricant:
IPD70N12S311ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS-T

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.35mm

Standards/Approvals

No

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET is suitable for automotive applications and it is 100% Avalanche tested.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

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