Infineon OptiMOS-T Type N-Channel MOSFET, 70 A, 120 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 935,00 €

(TVA exclue)

2 342,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
Temporairement en rupture de stock
  • 17 500 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,774 €1 935,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-4389
Référence fabricant:
IPD70N12S311ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

70A

Maximum Drain Source Voltage Vds

120V

Series

OptiMOS-T

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

2.35mm

Width

6.42 mm

Length

6.65mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

This Infineon OptiMOS MOSFET is suitable for automotive applications and it is 100% Avalanche tested.

It is Halogen-free according to IEC61249-2-21

Liens connexes