Infineon 600V CoolMOS P7 Type N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB60R280P7ATMA1
- N° de stock RS:
- 214-4370
- Référence fabricant:
- IPB60R280P7ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4370
- Référence fabricant:
- IPB60R280P7ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | 600V CoolMOS P7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 280mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 53W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 4.5mm | |
| Length | 10.02mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series 600V CoolMOS P7 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 280mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 53W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 18nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 4.5mm | ||
Length 10.02mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 600V Cool MOS P7 super junction MOSFET continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the Cool MOS 7th generation platform ensure its high efficiency.
It has rugged body diode
Integrated RG reduces MOSFET oscillation sensitivity
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