Infineon CoolMOS CE Type N-Channel MOSFET, 3.9 A, 800 V P, 3-Pin TO-220 IPA80R1K4CEXKSA2

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214-4355
Référence fabricant:
IPA80R1K4CEXKSA2
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

CoolMOS CE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.4Ω

Channel Mode

P

Forward Voltage Vf

1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

16.15 mm

Height

4.85mm

Length

10.68mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

This Infineon CoolMOSE CE MOSFET uses revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The high voltage capability combines safety with performance and ruggedness to allow stable designs at highest efficiency level.

It is RoHS compliant

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