Références fabricant

Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3

N° de stock RS:: 653-066
Référence fabricant:: SQJ738EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3

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Produit de remplacement

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Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK

N° de stock RS: 653-067

1 ruban de 1

2,17 €

(TVA exclue)

2,63 €

(TVA incluse)

N° de stock RS:: 653-066
Référence fabricant:: SQJ738EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Dual N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	123A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SQJ738EP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00317Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	93W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	5.09mm
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Dual N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 123A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK
	Series SQJ738EP
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00317Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 93W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 5.09mm
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ738EP-T1_GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay automotive-grade dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for enhanced thermal and electrical performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

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