Vishay SQJ738EP Dual N-Channel Single MOSFETs, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJ738EP-T1_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

3 396,00 €

(TVA exclue)

4 110,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +1,132 €3 396,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-066
Référence fabricant:
SQJ738EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Dual N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

123A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SQJ738EP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00317Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

93W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

56nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

5.09 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay automotive-grade dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and operates reliably at junction temperatures up to 175 °C. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET Gen IV technology for enhanced thermal and electrical performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes