Vishay SQJ152ELP Type N-Channel MOSFET, 123 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

783,00 €

(TVA exclue)

948,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 3 000 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,261 €783,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
210-5046
Référence fabricant:
SQJ152ELP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

123A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SQJ152ELP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

4mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

136W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.25 mm

Length

5mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET has PowerPAK SO-8L package type with 123 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes