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Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3

N° de stock RS:: 210-4994
Référence fabricant:: SIHP17N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3

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250 - 495	2,17 €	10,85 €
500 +	2,026 €	10,13 €

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N° de stock RS:: 210-4994
Référence fabricant:: SIHP17N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	15A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	E
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	250mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Power Dissipation Pd	179W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	9.96 mm
	Standards/Approvals	No
	Length	14.69mm
	Height	4.24mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 15A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series E
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 250mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Power Dissipation Pd 179W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 9.96 mm
	Standards/Approvals No
	Length 14.69mm
	Height 4.24mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHP17N80AE-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET has TO-220AB package type with 15 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 15 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP17N80AE-GE3

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