Vishay E Type N-Channel MOSFET, 7 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA17N80AE-GE3

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210-4961
Référence fabricant:
SIHA17N80AE-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

800V

Package Type

TO-220

Series

E

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

62nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

34W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

4.3mm

Length

28.1mm

Standards/Approvals

No

Width

9.7 mm

Automotive Standard

No

The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 7 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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