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Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA15N80AE-GE3

N° de stock RS:: 210-4959
Référence fabricant:: SIHA15N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA15N80AE-GE3

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125 - 245	1,92 €	9,60 €
250 - 495	1,564 €	7,82 €
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N° de stock RS:: 210-4959
Référence fabricant:: SIHA15N80AE-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Series	E
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	304mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	35nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	33W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	28.1mm
	Standards/Approvals	No
	Width	9.7 mm
	Height	4.3mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Series E
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 304mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 35nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 33W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 28.1mm
	Standards/Approvals No
	Width 9.7 mm
	Height 4.3mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHA15N80AE

The Vishay E Series Power MOSFET has Thin-Lead TO-220 FULLPAK package type with 6 A drain current.

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHA15N80AE-GE3

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