Vishay E Type N-Channel MOSFET, 8 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- N° de stock RS:
- 210-4978
- Référence fabricant:
- SIHD11N80AE-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 271,00 €
(TVA exclue)
2 748,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 13 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,757 € | 2 271,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 210-4978
- Référence fabricant:
- SIHD11N80AE-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-252 | |
| Series | E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 391mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 78W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 28nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 9.4mm | |
| Height | 2.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-252 | ||
Series E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 391mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 78W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 28nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 9.4mm | ||
Height 2.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay E Series Power MOSFET has DPAK (TO-252) package type with single configuration.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Ciss)
Reduced switching and conduction losses
Ultra low gate charge (Qg)
Avalanche energy rated (UIS)
Integrated Zener diode ESD protection
Liens connexes
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD11N80AE-T1-GE3
- Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 850 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay SiHD2N80AE Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD2N80AE-GE3