Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 25 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 200-6817
- Référence fabricant:
- SIHP125N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
26,70 €
(TVA exclue)
32,30 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 5,34 € | 26,70 € |
| 25 - 45 | 4,808 € | 24,04 € |
| 50 - 120 | 4,536 € | 22,68 € |
| 125 - 245 | 4,272 € | 21,36 € |
| 250 + | 4,008 € | 20,04 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 200-6817
- Référence fabricant:
- SIHP125N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 25A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | EF | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 47nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 25A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series EF | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 47nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay SIHP125N60EF-GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay EF N-Channel MOSFET 25 A 3-Pin TO-220AB SIHP125N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220AB SiHP105N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 18 A 3-Pin TO-220AB SIHP186N60EF-GE3
- Vishay EF-Series N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP15N80AEF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 400 V TO-220AB SIHP25N40D-GE3
- Vishay Silicon N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3
- Vishay Silicon N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220AB SIHP054N65E-GE3