Vishay SiDR626LDP Type N-Channel MOSFET, 204 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR626LDP-T1-RE3

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Référence fabricant:
SiDR626LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

204A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SiDR626LDP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.9 mm

Length

5.9mm

Standards/Approvals

No

Height

0.51mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8DC package type.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

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