Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 73 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SIR184LDP-T1-RE3

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268-8330
Référence fabricant:
SIR184LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

73A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0058Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

62.5W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

5.15mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive switch, battery and load switch.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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