Vishay SiR626ADP Type N-Channel MOSFET, 165 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR626ADP-T1-RE3

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204-7200
Référence fabricant:
SiR626ADP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

165A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SiR626ADP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.75mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

6.25mm

Length

5.26mm

Width

1.12 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 60 V (D-S) MOSFET is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.

Package Power PAK SO-8

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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