Vishay Dual SQJ264EP 2 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SO-8 SQJ264EP-T1_GE3

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204-7238
Référence fabricant:
SQJ264EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

SQJ264EP

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Forward Voltage Vf

0.82V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

4.9mm

Width

4.37 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFETs is optimized for synchronous buck applications. It is AEC-Q101 qualified.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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