Vishay Dual SQJ264EP 2 Type N-Channel MOSFET, 54 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SO-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 043,00 €

(TVA exclue)

2 472,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 30 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,681 €2 043,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
204-7237
Référence fabricant:
SQJ264EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

54A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SQJ264EP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

48W

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

No

Height

1.07mm

Length

4.9mm

Width

4.37 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFETs is optimized for synchronous buck applications. It is AEC-Q101 qualified.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Liens connexes