Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 7 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
228-2944
Référence fabricant:
SQ4946CEY-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

40mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

4W

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

11.7nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual

Standards/Approvals

AEC-Q101

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay TrenchFET automotive dual N-channel is power MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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