Vishay TrenchFET Dual N-Channel Automotive MOSFET, 21 A, 60 V MOSFET, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ768ELP-T1_GE3

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N° de stock RS:
790-425
Référence fabricant:
SQJ768ELP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Dual N-Channel

Product Type

Automotive MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK SO-8L

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0305Ω

Channel Mode

MOSFET

Maximum Power Dissipation Pd

35W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay Automotive dual N-channel power MOSFET offers robust performance across a wide temperature range, designed to efficiently manage switching and drive applications in automotive systems.

TrenchFET power MOSFET technology ensuring efficient operation

AEC Q101 qualified for reliability in automotive applications

100% R and UIS tested for guaranteed performance assurance

Low on-state resistance values contribute to improved efficiency

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