Vishay SiDR220DP N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR220DP-T1-RE3

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204-7232
Référence fabricant:
SIDR220DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Package Type

SO-8

Series

SiDR220DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

200nC

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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