Références fabricant

Vishay SiDR140DP N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR140DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 204-7235
Référence fabricant:: SIDR140DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiDR140DP N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR140DP-T1-RE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

5 178,00 €

(TVA exclue)

6 264,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 15 octobre 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	1,726 €	5 178,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 204-7235
Référence fabricant:: SIDR140DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	SO-8
	Series	SiDR140DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.67mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	113nC
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.15mm
	Height	0.61mm
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type SO-8
	Series SiDR140DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.67mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 113nC
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.15mm
	Height 0.61mm
	Standards/Approvals No
	Width 5.15mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIDR140DP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has a top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.