Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
- N° de stock RS:
- 228-2912
- Référence fabricant:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 10 unités)*
13,32 €
(TVA exclue)
16,12 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Dernier stock RS
- 18 710 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,332 € | 13,32 € |
| 100 - 240 | 1,254 € | 12,54 € |
| 250 - 490 | 1,134 € | 11,34 € |
| 500 - 990 | 1,066 € | 10,66 € |
| 1000 + | 1,00 € | 10,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 228-2912
- Référence fabricant:
- SiR876BDP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 10.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 71.4W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42.7nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 10.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 71.4W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42.7nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 100 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR880BDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 45 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR450DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR510DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 Si7454FDP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR580DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR570DP-T1-RE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR668DP-T1-RE3