Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 100 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR638ADP
- N° de stock RS:
- 735-146
- Référence fabricant:
- SiR638ADP
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 735-146
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK SO-8 | |
| Series | SiR | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.00088Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 40V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 2mm | |
| Length | 7mm | |
| Width | 6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK SO-8 | ||
Series SiR | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00088Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 40V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 2mm | ||
Length 7mm | ||
Width 6mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 40V drain-source voltage, optimized for high power density DC/DC converters in AI server applications. It delivers ultra-low on-resistance of 0.88mΩ maximum at 10V gate drive for superior conduction efficiency in synchronous rectification circuits.
147S forward trans conductance
110nC total gate charge at 10V VGS
Qgd/Qgs ratio less than 1 for optimized switching
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