Vishay SiR N channel-Channel MOSFET, 100 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR512DP

Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

2,24 €

(TVA exclue)

2,71 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
1 - 92,24 €
10 - 241,46 €
25 - 990,80 €
100 - 4990,79 €
500 +0,78 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
735-131
Référence fabricant:
SiR512DP
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

PowerPAK SO-8

Series

SiR

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0045Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

96.2W

Forward Voltage Vf

100V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

7mm

Height

2mm

Width

6mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET designed for efficient power management in AI server solutions and high-current applications. It delivers 100V drain-source voltage capability with a low on-resistance of 4.5 mΩ at 10V gate drive for minimal power loss.

00A continuous drain current at TC=25°C

96.2W power dissipation rating

-55°C to +150°C operating temperature range

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.