Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS63DN-T1-GE3

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N° de stock RS:
200-6848
Référence fabricant:
SiSS63DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

127.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET Gen III

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

236nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

3.3mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

The Vishay SiSS63DN-T1-GE3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

100 % Rg and UIS tested

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