Références fabricant

Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS63DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 200-6848
Référence fabricant:: SiSS63DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen III Type P-Channel MOSFET, 127.5 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSS63DN-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 329,00 €

(TVA exclue)

1 608,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 14 janvier 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,443 €	1 329,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 200-6848
Référence fabricant:: SiSS63DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	127.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	TrenchFET Gen III
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	7mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	236nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	65.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.3mm
	Height	3.3mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 127.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series TrenchFET Gen III
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 7mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 236nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 65.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.3mm
	Height 3.3mm
	Automotive Standard No

Document- SiSS63DN-T1-GE3

The Vishay SiSS63DN-T1-GE3 is a P-channel 20V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET

Leadership RDS(on) in compact and thermally enhanced package

100 % Rg and UIS tested

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.