Références fabricant

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8

N° de stock RS:: 180-7361
Référence fabricant:: SIS476DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 458,00 €

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3000 +	0,486 €	1 458,00 €

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N° de stock RS:: 180-7361
Référence fabricant:: SIS476DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET Gen IV
	Package Type	PowerPAK 1212-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0035Ω
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	51nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.61mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET Gen IV
	Package Type PowerPAK 1212-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0035Ω
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 51nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.61mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay SIS476DN is a N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 30V. The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.0025ohms at 10VGS and 0.0035ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 40A.

Trench FET gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

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