Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 Type N-Channel Power MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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N° de stock RS:
188-4891
Référence fabricant:
SiSF20DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

52A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET Gen IV

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22nC

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Common Drain

Maximum Operating Temperature

-55°C

Length

3.4mm

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Height

0.75mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Common - Drain Dual N-Channel 60 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

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