Références fabricant

Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 N-Channel Power MOSFET, 60 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

N° de stock RS:: 188-4890
Référence fabricant:: SISF02DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Common Drain TrenchFET Gen IV 2 N-Channel Power MOSFET, 60 A, 25 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 188-4890
Référence fabricant:: SISF02DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	37nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	69.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-12V, +16V
	Transistor Configuration	Common Drain
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Width	3.4mm
	Height	0.75mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 60A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 37nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 69.4W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -12V, +16V
	Transistor Configuration Common Drain
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Width 3.4mm
	Height 0.75mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet SISF02DN-T1-GE3

Common Drain Dual N-Channel 25 V (S1-S2) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low source-to-source on resistance

Integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package

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