Vishay E Type N-Channel MOSFET, 6.4 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SIHP690N60E-GE3
- N° de stock RS:
- 200-6820
- Référence fabricant:
- SIHP690N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 50 unités)*
55,55 €
(TVA exclue)
67,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 13 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,111 € | 55,55 € |
| 100 - 200 | 1,044 € | 52,20 € |
| 250 + | 0,944 € | 47,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 200-6820
- Référence fabricant:
- SIHP690N60E-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 6.4A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | E | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 700mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 62.5W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 6.4A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series E | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 700mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 62.5W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay SIHP690N60E-GE3 is a E Series power MOSFET.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SIHD690N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-252
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHA690N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHF080N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 SiHP080N60E-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220