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Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA36EP-T1_GE3

N° de stock RS:: 200-6822
Référence fabricant:: SQJA36EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin SO-8 SQJA36EP-T1_GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 757,00 €

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3000 +	0,919 €	2 757,00 €

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N° de stock RS:: 200-6822
Référence fabricant:: SQJA36EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	350A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	SQJA36EP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.24mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	107nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	4.2mm
	Height	6.25mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 350A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series SQJA36EP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.24mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 107nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 4.2mm
	Height 6.25mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Document- SQJA36EP-T1_GE3

The Vishay SQJA36EP-T1_GE3 is a automotive N-channel 40V (D-S) 175°C MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

AEC-Q101 qualified

100 % Rg and UIS tested

Qgd/Qgs ratio < 1 optimizes switching

characteristics

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