Vishay SQJA36EP Type N-Channel MOSFET, 350 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SQJA36EP-T1_JE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 1 unité)*

1,48 €

(TVA exclue)

1,79 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s)
le ruban
1 - 241,48 €
25 - 991,43 €
100 - 4991,40 €
500 - 9991,20 €
1000 +1,13 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-069
Référence fabricant:
SQJA36EP-T1_JE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

350A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

PowerPAK

Series

SQJA36EP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00124Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Maximum Power Dissipation Pd

500W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.25 mm

Standards/Approvals

AEC-Q101

Length

6.25mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN
The Vishay automotive-grade N-channel MOSFET built for high-efficiency switching in power-dense environments. It supports up to 40 V drain-source voltage and handles continuous drain currents up to 350 A, making it Ideal for demanding automotive applications. Packaged in PowerPAK SO-8L, it features TrenchFET Gen IV technology for ultra-low RDS(on) and optimized switching performance.

AEC Q101 qualified

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes