Vishay EF Type N-Channel MOSFET, 29 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 200-6795
- Référence fabricant:
- SiHP105N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
22,50 €
(TVA exclue)
27,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 90 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,50 € | 22,50 € |
| 25 - 45 | 4,052 € | 20,26 € |
| 50 - 120 | 3,826 € | 19,13 € |
| 125 - 245 | 3,60 € | 18,00 € |
| 250 + | 3,374 € | 16,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 200-6795
- Référence fabricant:
- SiHP105N60EF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 29A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Series | EF | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 88mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.52mm | |
| Height | 14.4mm | |
| Width | 4.65 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 29A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Series EF | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 88mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 53nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.52mm | ||
Height 14.4mm | ||
Width 4.65 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay SiHP105N60EF-GE3 is a EF series power MOSFET with fast body diode.
4th generation E series technology
Low figure-of-merit
Low effective capacitance
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay EF N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220AB SiHP105N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 18 A 3-Pin TO-220AB SIHP186N60EF-GE3
- Vishay EF N-Channel MOSFET 25 A 3-Pin TO-220AB SIHP125N60EF-GE3
- N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SiHP30N60E-GE3
- Vishay EF-Series N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP15N80AEF-GE3
- Vishay EF Series N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay Silicon N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3
- Vishay Silicon N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-220AB SIHP054N65E-GE3