Références fabricant

onsemi NVMYS8D0N04C N-Channel MOSFET, 49 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS8D0N04CTWG

N° de stock RS:: 195-2541
Référence fabricant:: NVMYS8D0N04CTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NVMYS8D0N04C N-Channel MOSFET, 49 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NVMYS8D0N04CTWG

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 195-2541
Référence fabricant:: NVMYS8D0N04CTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	49A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	NVMYS8D0N04C
	Package Type	LFPAK
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	38W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.15mm
	Width	4.25mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 49A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series NVMYS8D0N04C
	Package Type LFPAK
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 38W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.15mm
	Width 4.25mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet NVMYS8D0N04CTWG

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.