onsemi NTMYS8D0N04C Type N-Channel MOSFET, 49 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS8D0N04CTWG

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195-2527
Référence fabricant:
NTMYS8D0N04CTWG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

49A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

NTMYS8D0N04C

Package Type

LFPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.25 mm

Standards/Approvals

No

Length

5mm

Height

1.15mm

Automotive Standard

No

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

These Devices are Pb−Free

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