onsemi NTMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- N° de stock RS:
- 195-2504
- Référence fabricant:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
2 814,00 €
(TVA exclue)
3 405,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 29 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,938 € | 2 814,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 195-2504
- Référence fabricant:
- NTMJS1D5N04CLTWG
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NTMJS1D5N04CL | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.15mm | |
| Width | 4.9 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NTMJS1D5N04CL | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.15mm | ||
Width 4.9 mm | ||
Automotive Standard No | ||
Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK8 Package, Industry Standard
These Devices are Pb−Free
Liens connexes
- onsemi NTMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NTMJS1D5N04CLTWG
- onsemi NVMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK
- onsemi NVMJS1D5N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin LFPAK NVMJS1D5N04CLTWG
- onsemi NTMYS011N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS7D3N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NVMYS8D0N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS5D3N04C Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
- onsemi NTMYS7D3N04CL Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK
