Références fabricant

onsemi NTMYS5D3N04C N-Channel MOSFET, 71 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS5D3N04CTWG

N° de stock RS:: 195-2519
Référence fabricant:: NTMYS5D3N04CTWG
Fabricant:: onsemi

onsemi NTMYS5D3N04C N-Channel MOSFET, 71 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK NTMYS5D3N04CTWG

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N° de stock RS:: 195-2519
Référence fabricant:: NTMYS5D3N04CTWG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	71A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	LFPAK
	Series	NTMYS5D3N04C
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	50W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Width	4.25mm
	Standards/Approvals	No
	Length	5mm
	Height	1.15mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 71A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type LFPAK
	Series NTMYS5D3N04C
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 50W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Width 4.25mm
	Standards/Approvals No
	Length 5mm
	Height 1.15mm
	Automotive Standard No

Datasheet NTMYS5D3N04CTWG

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

These Devices are Pb−Free

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