onsemi NTMYS8D0N04C Type N-Channel MOSFET, 49 A, 40 V Enhancement, 4-Pin LFPAK

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

2 403,00 €

(TVA exclue)

2 907,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 06 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,801 €2 403,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
195-2526
Référence fabricant:
NTMYS8D0N04CTWG
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

49A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

LFPAK

Series

NTMYS8D0N04C

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

8.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.15mm

Standards/Approvals

No

Width

4.25 mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

Industrial Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

These Devices are Pb−Free

Liens connexes