STMicroelectronics Single 1 N-Channel, 7 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerFLAT (5 x 6) HV STL13N60M6

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N° de stock RS:
192-4849
Référence fabricant:
STL13N60M6
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

1

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current (Id)

7 A

Maximum Drain Source Voltage (Vds)

600 V

Channel Mode

Enhancement

Pin Count

8

Package Type

PowerFLAT (5 x 6) HV

Forward Voltage (Vf)

1.6 V

Height

950 μm

Length

6 mm

Maximum Drain Source Resistance (Rds)

415 mΩ

Maximum Gate Source Voltage (Vgs)

25 V

Maximum Operating Temperature

150 °C

Maximum Power Dissipation (Pd)

52 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Mount Type

Surface

Width

5 mm

Pays d'origine :
CN
The new MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviors available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

Zener-protected

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