Vishay SiSS60DN Type N-Channel MOSFET, 181.8 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS60DN-T1-GE3

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188-5094
Référence fabricant:
SISS60DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

181.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSS60DN

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.01mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

57nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Forward Voltage Vf

0.68V

Maximum Power Dissipation Pd

65.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Standards/Approvals

No

Height

0.78mm

Length

3.3mm

Distrelec Product Id

304-32-536

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode.

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