Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 152-6358
- Référence fabricant:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 25 unités)*
8,55 €
(TVA exclue)
10,35 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 75 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,342 € | 8,55 € |
| 250 - 600 | 0,321 € | 8,03 € |
| 625 - 1225 | 0,29 € | 7,25 € |
| 1250 - 2475 | 0,274 € | 6,85 € |
| 2500 + | 0,256 € | 6,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 152-6358
- Référence fabricant:
- SI2302DDS-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.075Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.86W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Length | 3.04mm | |
| Height | 1.02mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type SOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.075Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.86W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Length 3.04mm | ||
Height 1.02mm | ||
Automotive Standard No | ||
Halogen-free
TrenchFET® Power MOSFET
100 % Rg Tested
APPLICATIONS
Load Switching for Portable Devices
DC/DC Converter
Liens connexes
- Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2392ADS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2300DS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2318HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET -20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2301HDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2307CDS-T1-GE3
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2369DS-T1-GE3