Vishay TrenchFET Type N-Channel Power MOSFET, 2.9 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2302DDS-T1-GE3

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152-6358
Référence fabricant:
SI2302DDS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

2.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.075Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Maximum Power Dissipation Pd

0.86W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.5nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Height

1.02mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Automotive Standard

No

Halogen-free

TrenchFET® Power MOSFET

100 % Rg Tested

APPLICATIONS

Load Switching for Portable Devices

DC/DC Converter

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