Vishay SiSHA14DN Type N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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N° de stock RS:
188-4899
Référence fabricant:
SiSHA14DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSHA14DN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

19.4nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

26.5W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

0.93mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

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