Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 27 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212

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N° de stock RS:
165-6922
Référence fabricant:
SISS23DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Height

0.78mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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