onsemi NTMFS6H818N Type N-Channel MOSFET, 123 A, 80 V Enhancement, 5-Pin DFN NTMFS6H818NT1G

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N° de stock RS:
178-4431
Référence fabricant:
NTMFS6H818NT1G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

123A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

DFN

Series

NTMFS6H818N

Mount Type

Surface

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.05mm

Width

6.1 mm

Standards/Approvals

No

Length

5.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance.

Features

Small Footprint (5x6 mm)

Low RDS(on)

Low QG and Capacitance

Benefits

Compact Design

Minimize Conduction Losses

Minimize Driver Losses

Applications

Switching power supplies

Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-

Bridges etc.)

48V systems

Battery Management and Protection

End Products

Motor Control

DC/DC converter

Load Switch

Battery Packs and ESS

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